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Jutta Kühn | AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added... - Bild 1 von 1

AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications von Jutta Kühn (2014, Taschenbuch)

Faboplay (19077)

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Titel: AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications | Medium: Taschenbuch | Autor: Jutta Kühn | Einband: Kartoniert / Broschiert | Inhalt: 262 S. / 92 farbige Illustr. | Ausstattung / Beilage: Paperback | Sprache: Englisch | Seiten: 262 | Maße: 210 x 148 x 17 mm | Erschienen: 18.08.2014 | Anbieter: Faboplay.

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Über dieses Produkt

Produktinformation

This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.

Produktkennzeichnungen

EAN9783866446151

ISBN3866446152, 9783866446151

ISBN-103866446152

ISBN-139783866446151

eBay Product ID (ePID)163636184

Produkt Hauptmerkmale

VerlagKarlsruher Institut für Technologie, Karlsruher Institut FR Technologie (Kit)

Erscheinungsjahr2014, 2011

Anzahl der Seiten262 Seiten

SpracheEnglisch

PublikationsnameAlgan/Gan-Hemt Power Amplifiers With Optimized Power-Added Efficiency For X-Band Applications

AutorJutta Kühn

FormatTaschenbuch

Maße

Gewicht376 g

Zusätzliche Produkteigenschaften

HörbuchNo

InhaltsbeschreibungPaperback

SprachausgabeEnglisch

Seiten259 Seiten

Item Height1cm

Item Length21cm

Item Width14cm

Item Weight384g

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